半導体装置、及び半導体装置の作製方法、液晶テレビジョン装置、並びにELテレビジョン装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005034425
Publication number (International publication number)：2005260216
Application date： Feb. 10, 2005
Publication date： Sep. 22, 2005
Summary：

【課題】本発明は、材料の利用効率を向上させ、スループット及び歩留まりを高めた手法で、駆動能力の高い半導体装置の製造方法を提供することを目標とする。【解決手段】本発明は、半導体領域に接する第1の導電層を形成し、第1の導電層上に絶縁層を塗布法により形成し、絶縁層の一部にレーザ光を照射してマスクパターンを形成し、前記マスクパターンをマスクとしてエッチングして、分割された第1の導電層を形成することを特徴とする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体領域、ソース領域、ドレイン領域、ソース電極及びドレイン電極を有し、前記ゲート電極、前記半導体領域、前記ソース電極、又は前記ドレイン電極は液滴吐出法で形成され、前記ソース領域及び前記ドレイン領域の距離が、0.1μm以上10μm以下であることを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L21/336 , G02F1/1368 , H01L21/288 , H01L21/3205 , H01L29/786 , H05B33/14

FI (8)：

H01L29/78 627C , G02F1/1368 , H01L21/288 Z , H05B33/14 A , H01L29/78 616K , H01L29/78 616T , H01L29/78 618C , H01L21/88 B

F-Term (191)：

2H092JA24 , 2H092JA25 , 2H092JA26 , 2H092JB56 , 2H092KB24 , 2H092KB25 , 2H092MA02 , 2H092MA05 , 2H092MA08 , 2H092MA14 , 2H092MA15 , 2H092MA17 , 2H092MA19 , 2H092NA27 , 2H092NA29 , 3K007AB18 , 3K007BA06 , 3K007DB03 , 3K007FA00 , 3K007FA01 , 3K007GA00 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB32 , 4M104BB36 , 4M104DD21 , 4M104DD22 , 4M104DD51 , 4M104DD78 , 4M104DD80 , 4M104FF18 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F033GG04 , 5F033HH03 , 5F033HH04 , 5F033HH07 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033HH16 , 5F033HH17 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH20 , 5F033HH21 , 5F033HH32 , 5F033HH33 , 5F033HH38 , 5F033JJ03 , 5F033JJ04 , 5F033JJ07 , 5F033JJ08 , 5F033JJ11 , 5F033JJ13 , 5F033JJ14 , 5F033JJ16 , 5F033JJ17 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ20 , 5F033JJ21 , 5F033JJ32 , 5F033JJ33 , 5F033JJ38 , 5F033KK03 , 5F033KK04 , 5F033KK07 , 5F033KK08 , 5F033KK11 , 5F033KK13 , 5F033KK14 , 5F033KK16 , 5F033KK17 , 5F033KK18 , 5F033KK19 , 5F033KK20 , 5F033KK21 , 5F033KK32 , 5F033KK33 , 5F033KK38 , 5F033MM05 , 5F033MM13 , 5F033PP26 , 5F033QQ00 , 5F033QQ09 , 5F033QQ26 , 5F033QQ37 , 5F033QQ73 , 5F033QQ82 , 5F033QQ83 , 5F033QQ85 , 5F033RR09 , 5F033RR21 , 5F033RR22 , 5F033RR25 , 5F033SS21 , 5F033VV15 , 5F033WW01 , 5F033XX33 , 5F033XX34 , 5F110AA07 , 5F110AA16 , 5F110AA28 , 5F110BB02 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE14 , 5F110EE24 , 5F110EE28 , 5F110EE42 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG05 , 5F110GG06 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG16 , 5F110GG23 , 5F110GG25 , 5F110GG26 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG42 , 5F110GG44 , 5F110GG45 , 5F110HJ16 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK09 , 5F110HK15 , 5F110HK21 , 5F110HK25 , 5F110HK32 , 5F110HK35 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL14 , 5F110HM04 , 5F110HM12 , 5F110HM18 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN12 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

薄膜半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-083320 Applicant：松下電器産業株式会社

Cited by examiner (2)

デバイス、デバイスの製造方法、電気光学装置及び電子装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-119964 Applicant：セイコーエプソン株式会社
デバイスの製造方法、デバイス、表示装置、および電子機器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2002-119963 Applicant：セイコーエプソン株式会社

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