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J-GLOBAL ID：200903054100468385

トレンチゲートMISデバイスの構造及び製造方法

Inventor： アナップ・バラ ,  ドーマン・ピッツァー ,  ジャック・コレック ,  シャオロング・シー ,  シク・ルイ
Applicant, Patent owner： シリコニックス・インコーポレイテッド
Agent (1)： 大島 陽一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003079667
Publication number (International publication number)：2003309263
Application date： Mar. 24, 2003
Publication date： Oct. 31, 2003
Summary：

【要約】【課題】 より単純に製造でき、かつ平坦なトポロジを得ることができ、更にトレンチの上部曲がり部における降伏電圧の問題が解消されたトレンチゲートMISデバイスを提供すること。【解決手段】 トランジスタセルを含む活性領域と、トランジスタセルを含まないゲート金属領域と、ゲート金属層とを含み、半導体チップの表面のパターンに、活性領域からゲート金属領域に至るトレンチが形成されており、このトレンチが絶縁材料の層で裏打ちされた壁部を有し、導電性ゲート材料がトレンチ内に設けられており、導電性ゲート材料の上面が半導体チップの上面より下側に位置し、非導電層が活性領域及びゲート金属領域の上に位置し、ゲート金属領域におけるトレンチの一部の上側の非導電層に開口が形成されており、ゲート金属がトレンチ内の接触領域のゲート材料と接触するように、開口が前記ゲート金属で満たされているトレンチゲートMISデバイス。

Claim (excerpt)：

半導体チップに形成されるトレンチゲートMISデバイスであって、トランジスタセルを含む活性領域と、トランジスタセルを含まないゲート金属領域と、ゲート金属層とを含み、前記半導体チップの表面のパターンに、前記活性領域から前記ゲート金属領域に至るトレンチが形成されており、前記トレンチが絶縁材料の層で裏打ちされた壁部を有し、導電性ゲート材料が前記トレンチ内に設けられており、前記導電性ゲート材料の上面が前記半導体チップの上面より下側に位置し、非導電層が前記活性領域及び前記ゲート金属領域の上に位置し、前記ゲート金属領域におけるトレンチの一部の上側の前記非導電層に開口が形成されており、ゲート金属が前記トレンチ内の接触領域の前記ゲート材料と接触するように、前記開口が前記ゲート金属で満たされていることを特徴とするトレンチゲートMISデバイス。

IPC (9)：

H01L 29/78 653 ,  H01L 29/78 652 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/06 ,  H01L 29/41 ,  H01L 29/423 ,  H01L 29/49

FI (10)：

H01L 29/78 653 C ,  H01L 29/78 652 K ,  H01L 29/78 652 N ,  H01L 29/78 652 P ,  H01L 29/78 658 A ,  H01L 29/78 658 F ,  H01L 29/78 658 G ,  H01L 27/06 102 A ,  H01L 29/58 G ,  H01L 29/44 L

F-Term (31)：

4M104AA01 ,  4M104BB01 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104CC05 ,  4M104DD19 ,  4M104DD63 ,  4M104EE03 ,  4M104EE16 ,  4M104FF01 ,  4M104FF06 ,  4M104FF10 ,  4M104FF21 ,  4M104FF27 ,  4M104GG03 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104HH12 ,  5F048AA01 ,  5F048AA07 ,  5F048AA09 ,  5F048AC10 ,  5F048BA02 ,  5F048BA06 ,  5F048BB02 ,  5F048BB07 ,  5F048BB19 ,  5F048BD07 ,  5F048BD09 ,  5F048BG14 ,  5F048BH07

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-022982   Applicant：日産自動車株式会社
• 絶縁電極およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-184730   Applicant：日産自動車株式会社
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-280543   Applicant：株式会社東芝
• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-269202   Applicant：日本電気株式会社
• セル状トレンチゲート電界効果トランジスタ
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2001-512640   Applicant：コーニンクレッカフィリップスエレクトロニクスエヌヴィ
• MOSFET
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-258599   Applicant：日本電信電話株式会社
• MOSFETの保護装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-226619   Applicant：三洋電機株式会社