Pat

J-GLOBAL ID：200903054105955314

電気光学プローブ

Inventor： ダグラス レイモンド ダイカー ,  ユウリッチ ダイカー ケイル ,  ローズ ファサノ コーフ ,  エドワード ジョン ラスコスキー ,  ジョージ ジョン ジトジック
Applicant, Patent owner： アメリカン テレフォン アンド テレグラフ カムパニー
Agent (1)： 三俣 弘文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993242132
Publication number (International publication number)：1994224272
Application date： Sep. 03, 1993
Publication date： Aug. 12, 1994
Summary：

【要約】【目的】 超高速電気光学サンプリングに適した、フェムト秒(fs)の解像度を有する新規な電気光学サンプリングプローブを提供する。【構成】 本発明のプローブは、現在では最良の常用バルクLiTaO3 プローブよりも数倍も薄く、誘電率は4倍も低い。最大帯域幅は、同等のLiTaO3 プローブよりも50%も大きい。本発明のプローブは、全内部反射形状および自立性形状の双方で使用されるAlx Ga1-x Asの薄膜である。ここで、xは電気光学サンプリング用に使用されるレーザ源の波長に対して結晶の透過性が十分であるように選択される。薄膜の膜厚は、従来のプローブの厚さよりも小さい。この膜厚は、電気光学サンプリングの速度および感度について、レーザパルスの空間的広がりに比べて薄く選択される。

Claim (excerpt)：

縦方向電気光学作用を示す結晶からなり、前記結晶は、Alx Ga1-x As(ここで、xは、電気光学サンプリングに使用されるレーザ源に対して十分な透明性をもたらすように選択される)からなる薄膜であることを特徴とする、電子回路および光電子回路の電気光学サンプリングで使用するための電気光学プローブ。

IPC (2)：

H01L 21/66 ,  G01J 1/02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-238376
  
• 特開平4-136768
  
• 特開平4-029344