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J-GLOBAL ID：200903054108805208
有機金属気相成長装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996072721
Publication number (International publication number)：1997266173
Application date： Mar. 27, 1996
Publication date： Oct. 07, 1997
Summary：
【要約】【課題】 窒化ガリウム系化合物等の半導体薄膜を高い基板温度において均一に効率良く成長させることが可能であり、装置費及び材料費の低コスト化が可能な量産用有機金属気相成長装置を提供することを目的としている。【解決手段】 チャンバー60と、チャンバー60内に水平に対峙して配設された中心軸を同じとする円形の上板11及び下板12からなる反応管と、上板11又は下板12のいずれかの中央部に上板11又は下板12と垂直に配設されたガス導入管13と、上板11の下面の同一円周上に配設され複数の基板を薄膜成長面を下向きにして保持できる基板ホルダー16と、基板ホルダー16を加熱する発熱体50と、チャンバー60の側面に配設されたガス排出管80と、を備えた。
Claim (excerpt)：
チャンバーと、前記チャンバー内に水平に対峙して配設された中心軸を同じとする円形の上板及び下板からなる反応管と、前記上板又は前記下板のいずれかの中央部に前記上板又は前記下板と垂直に配設されたガス導入管と、前記上板の下面の同一円周上に配設され複数の基板を薄膜成長面を下向きにして保持できる基板ホルダーと、前記基板ホルダーを加熱する加熱手段と、前記チャンバーの側面に配設されたガス排出管と、を備えた有機金属気相成長装置。
IPC (2)：
FI (2)：
H01L 21/205
, H01L 33/00 C
