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J-GLOBAL ID：200903054109804795

半導体成長用基板およびその製造方法ならびに半導体装置

Inventor： 原 昌輝
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 杉浦 正知
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998243486
Publication number (International publication number)：2000077336
Application date： Aug. 28, 1998
Publication date： Mar. 14, 2000
Summary：

【要約】 (修正有)【課題】 一主面がIII-V族窒化物系半導体からなる基板上に無機マスクを用い横方向エピタキシャル成長をさせる際、成長層を薄くでき、マスクエッジ部の形状が成長層の欠陥伝搬方向に影響を与えず、成長層とマスク間に空隙発生の確率が極く低い半導体成長用基板とその製造方法、及びこの基板を用いた半導体装置を提供する。【解決手段】 サファイア基板1上にGaN層2を成長させ、その表面に無機マスク3をGaN層表面が実質平坦になるよう形成し、半導体成長用基板とする。無機マスク3はGaN層2にSiとOまたはNをイオン注入後加熱するか、GaN層2にSiをイオン注入後、OまたはNを含む雰囲気中で加熱するか、GaN層上にSi膜を選択的に形成後Si膜を酸化または窒化することにより形成される。この基板上にGaN層を横方向エピタキシャル成長させ、その上に素子層を成長させてGaN系半導体レーザなどの半導体装置を製造する。

Claim (excerpt)：

少なくとも一主面が窒化物系III-V族化合物半導体からなる基板の上記一主面に、横方向エピタキシャル成長用マスクとしての無機マスクが、上記一主面が実質的に平坦な状態で設けられていることを特徴とする半導体成長用基板。

IPC (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

F-Term (33)：

5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA54 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA71 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA77 ,  5F041CB05 ,  5F045AA04 ,  5F045AB04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC11 ,  5F045AD08 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF20 ,  5F045BB12 ,  5F045DC68 ,  5F045HA15