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J-GLOBAL ID：200903054115384862

半導体装置および二次電池電源装置

Inventor： 奥藤 忠司 ,  熊谷 直樹 ,  渡辺 恒夫
Applicant, Patent owner： 日本モリセル株式会社 ,  富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993065771
Publication number (International publication number)：1994284589
Application date： Mar. 25, 1993
Publication date： Oct. 07, 1994
Summary：

【要約】【目的】ループ電流を防止しながら堰層電圧を有することの無い二次電池電源装置、およびこれに適した半導体装置を提供する。【構成】半導体装置3は、nチャンネルエンハンスメント形MOSFET(以降、nEMOSと略称)4と、電圧比較器5で構成される。nEMOS4は、ゲートに入力される信号4aがハイレベルである場合にドレインとソース間が導通状態に、信号4aがローレベルである場合にドレインとソース間が非導通状態となる素子で、その構造から寄生ダイオード41を有している。電圧比較器5は、反転入力端子、非反転入力端子、出力端子を備えており、これ等の端子はそれぞれnEMOS4のドレイン,ソース,ゲートに接続され、その出力端子から、ソースの電位がドレインの電位よりも高い場合には,ハイレベルの信号5aを出力し、これと逆に、ドレインの電位がソースの電位よりも低い場合には,ローレベルの信号5aを出力する。

Claim (excerpt)：

ドレイン,ソースおよびゲートを有するユニポーラ型トランジスタと、電圧比較器を備え、前記電圧比較器は、反転入力端子,非反転入力端子および出力端子を備え、反転入力端子は前記ドレインに,非反転入力端子は前記ソースに,またその出力端子は前記ゲートにそれぞれ接続されて、ドレインの電位がソースの電位よりも高電位となるとユニポーラ型トランジスタをオフさせ,またドレインの電位がソースの電位よりも低い電位となるとユニポーラ型トランジスタをオンさせる信号をその出力端子から出力するものであり、前記ユニポーラ型トランジスタは、前記の信号をゲートに入力し、この信号に応じてオン・オフ制御されるものである、ことを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H02J 7/00 302 ,  H01M 10/44