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J-GLOBAL ID：200903054122112649
半導体発光装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
志波 邦男 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993230977
Publication number (International publication number)：1995066455
Application date： Aug. 24, 1993
Publication date： Mar. 10, 1995
Summary：
【要約】【目的】 内部応力が内在せず、長時間通電発光しても発光特性が劣化しない半導体発光装置を提供する。【構成】 GaAs基板上にAlGaInPからなる発光層部が形成され、前記GaAs基板と前記発光層部との間に異なる屈折率の交互積層膜からなる光反射層を設けた半導体発光装置において、該光反射層の材料にAl<SB>w</SB>Ga<SB>1-w</SB>As<SB>1-v</SB>P<SB>v</SB>(但し0≦w≦1、0<v≦0.05w)を用いる。前記発光層部を構成する活性層は、例えば(Al<SB>y</SB>Ga<SB>1-y</SB>)<SB>0.51</SB>In<SB>0.49</SB>P(但し0≦y≦0.7)からなる。
Claim (excerpt)：
GaAs基板上にAlGaInPからなる発光層部が形成され、前記GaAs基板と前記発光層部との間に異なる屈折率の交互積層膜からなる光反射層を設けた半導体発光装置において、該光反射層の材料をAl<SB>w</SB>Ga<SB>1-w</SB>As<SB>1-v</SB>P<SB>v</SB>(但し0≦w≦1、0<v≦0.05w)としたことを特徴とする半導体発光装置。
Patent cited by the Patent：
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