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J-GLOBAL ID:200903054122800618
真空薄膜形成装置
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
石原 勝
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992132772
Publication number (International publication number):1993320892
Application date: May. 25, 1992
Publication date: Dec. 07, 1993
Summary:
【要約】【目的】 表面に凹凸がある被薄膜形成体に対しても、均一な薄膜を形成できる真空薄膜形成装置を提供することを目的としている。【構成】 真空容器1内に、成膜材料で構成されるターゲット4と被薄膜形成体3を保持する被薄膜形成体ホルダー2とを対向させて配置し、前記ターゲット4に電源5を接続して放電させることによって、前記被薄膜形成体3上に前記ターゲット4を構成する成膜材料よりなる薄膜を形成する真空薄膜形成装置において、前記ターゲット4が1個以上あり、且つ、少なくとも1つのターゲット4が、前記被薄膜形成体3に対する対向角度を任意に変化できることを特徴とする。
Claim (excerpt):
真空容器内に、成膜材料で構成されるターゲットと被薄膜形成体を保持する被薄膜形成体ホルダーとを対向させて配置し、前記ターゲットに電源を接続して放電させることによって、前記被薄膜形成体上に前記ターゲットを構成する成膜材料よりなる薄膜を形成する真空薄膜形成装置において、前記ターゲットが1個以上あり、且つ、少なくとも1つのターゲットが、前記被薄膜形成体に対する対向角度を任意に変化できることを特徴とする真空薄膜形成装置。
IPC (2):
Patent cited by the Patent: