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J-GLOBAL ID：200903054134171870

抵抗変化素子とそれを用いた抵抗変化型メモリ

Inventor：
小田川 明弘

About 小田川 明弘

, 
長野 能久

About 長野 能久


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (2)： 鎌田 耕一 ,  黒田 茂
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006115091
Publication number (International publication number)：2007288008
Application date： Apr. 19, 2006
Publication date： Nov. 01, 2007
Summary：
【課題】抵抗変化層が酸化物からなる従来の素子とは異なる構成を有し、半導体製造プロセスとの親和性に優れるとともに水素含有雰囲気下における熱処理安定性に優れる抵抗変化素子を提供する。【解決手段】電気抵抗値が異なる2以上の状態が存在し、かつ、所定の電圧または電流の印加により、上記2以上の状態から選ばれる1つの状態から他の状態へと変化する抵抗変化層3を備え、抵抗変化層が、窒化物を形成しうる第1および第2の元素と、窒素とを含む抵抗変化素子とする。第1の元素は、例えば、Ti(チタン)、Ta(タンタル)、Co(コバルト)、Cu(銅)およびNb(ニオブ)から選ばれる少なくとも1種であればよい。第2の元素は、例えば、Al(アルミニウム)、Hf(ハフニウム)、Cr(クロム)およびSi(ケイ素)から選ばれる少なくとも1種であればよい。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
電気抵抗値が異なる2以上の状態が存在し、かつ、所定の電圧または電流の印加により、前記2以上の状態から選ばれる1つの状態から他の状態へと変化する抵抗変化層を備え、 前記抵抗変化層が、窒化物を形成しうる第1および第2の元素と、窒素と、を含む抵抗変化素子。
IPC (3)：
H01L 27/10 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00
FI (3)：
H01L27/10 451 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z
F-Term (23)：
5F083FZ10 ,  5F083GA06 ,  5F083GA29 ,  5F083JA14 ,  5F083JA21 ,  5F083JA35 ,  5F083JA36 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA43 ,  5F083JA44 ,  5F083JA56 ,  5F083JA58 ,  5F083JA60 ,  5F083LA03 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083ZA21
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (2)

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