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J-GLOBAL ID:200903054140775370
電子放出素子とその製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
大岩 増雄
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996005520
Publication number (International publication number):1997199000
Application date: Jan. 17, 1996
Publication date: Jul. 31, 1997
Summary:
【要約】【課題】 電界放出による電子放出素子の駆動電圧を低くすること。及び、大気中放置や大気中での加熱及び真空中加熱等により放出電流特性の変化しない電子放出素子及びその電子放出素子の製造方法を提供すること。【解決手段】 この発明に係る電子放出素子は、シリコン基板14と、このシリコン基板14上に少なくとも表面が多孔質シリコン層15で形成されたエミッタ11と、このエミッタ11の周囲に空間を隔てて設けられた引き出し電極13とを備え、エミッタ11の多孔質シリコン層15の表面及び内部のいずれか一方または両方に金属または良導体部材を形成したものである。
Claim (excerpt):
シリコン基板と、前記シリコン基板上に少なくとも表面が多孔質シリコン層で形成されたエミッタと、前記エミッタの周囲に空間を隔てて設けられた引き出し電極とを備え、前記エミッタの多孔質シリコン層の表面及び内部のいずれか一方または両方に金属または良導体部材を形成したことを特徴とする電子放出素子。
IPC (2):
FI (2):
H01J 1/30 B
, H01J 9/02 B
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
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電子放出素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-131488
Applicant:株式会社東芝
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特表平7-509803
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陰極構造体
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-133862
Applicant:ジーイーシーーマーコニリミテッド
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