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J-GLOBAL ID：200903054161792207

イオンビームエッチング装置

Inventor： 伊賀 尚 ,  大野 康則 ,  夏井 健一
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992157769
Publication number (International publication number)：1994002166
Application date： Jun. 17, 1992
Publication date： Jan. 11, 1994
Summary：

【要約】【構成】加工室9内に導体のメッシュで構成した筒状の電子反射グリッド22を配置し、電源23によって負の電位を与える。ここで、電子反射グリッド22の内径はイオンビーム8の有効径より大きい。中性化器12から引出された高速の電子14は負電位の電子反射グリッド22で反射されるため、直接加工室9の内壁に流入することが抑制され、基板11に流入する高速の電子14を増加させる。【効果】中性化器から引出された高速電子の、基板上でのイオンビーム電流の中性化に寄与する割合を増加させることができる。大容量イオン源のイオンビーム中性化が可能となり、イオンビームエッチング装置の生産性を向上させ製品のコストを低減することができる。

Claim (excerpt)：

イオン源と加工室から構成され、前記イオン源とは別のプラズマ源であって前記加工室内に保持された基板に電子を供給する中性化器を備え、前記イオン源から引出されたイオンビームと前記中性化器から引出された電子を同時に前記基板に照射することにより、前記基板の帯電を防止しつつ微細加工するイオンビームエッチング装置において、前記中性化器から引出された電子を、前記イオン源から引出された前記イオンビームが通過する空間領域およびその近傍に閉じ込める電気的手段を設けたことを特徴とするイオンビームエッチング装置。

IPC (2)：

C23F 4/00 ,  G03F 1/08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開昭63-157887
  
• 特開昭62-185324