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J-GLOBAL ID：200903054166096721
コバルトシリサイド膜の形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996202661
Publication number (International publication number)：1998045416
Application date： Jul. 31, 1996
Publication date： Feb. 17, 1998
Summary：
【要約】【課題】 細線効果を生じない低抵抗のコバルトシリサイド膜の形成方法を提供する。【解決手段】 シリコンを含む半導体層3,4上にコバルト膜6を形成する工程と、これにランプアニールによる第1の熱処理を行ってコバルトシリサイド膜7を形成する工程と、未反応のコバルト膜6を除去する工程と、コバルトシリサイド膜7にランプアニールによる第2の熱処理を行う工程を有してコバルトシリサイド膜8を形成する。
Claim (excerpt)：
シリコンを含む半導体層上にコバルト膜を形成する工程と、コバルト膜にランプアニールによる第1の熱処理を行ってコバルトシリサイド膜を形成する工程と、未反応のコバルト膜を除去する工程と、上記コバルトシリサイド膜にランプアニールによる第2の熱処理を行う工程を有することを特徴とするコバルトシリサイド膜の形成方法。
IPC (4)：
C01G 51/00
, C01B 33/06
, C22F 1/10
, C23C 14/06
C01G 51/00 C
, C01B 33/06
, C22F 1/10
, C23C 14/06 E
