Pat
J-GLOBAL ID:200903054182799813

架橋性複合材料及びその積層体

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2001197162
Publication number (International publication number):2003012820
Application date: Jun. 28, 2001
Publication date: Jan. 15, 2003
Summary:
【要約】【課題】 ポリフェニレンエーテル樹脂のもつ優れた誘電特性と機械特性を損なうことなく、架橋後に優れた耐薬品性と耐熱性に加えて熱膨張係数が低く、溶融時の流動性に優れた材料を提供する。【解決手段】 特定比率のポリフェニレンエーテル樹脂、特定の籠状シルセスキオキサン類、ラジカル開始剤成分、及びトリアリルイソシアヌレート及び/又はトリアリルシアヌレートからなる架橋性ポリフェニレンエーテル樹脂組成物と基材とからなる複合材料、前記樹脂組成物からなるフィルムと金属箔からなる架橋性樹脂付き金属箔、及び基板上にこれらの層を有する積層体。
Claim (excerpt):
ポリフェニレンエーテル樹脂(a成分)、分子内に複数の炭素-炭素二重結合を含有する籠状シルセスキオキサン類(b成分)、ラジカル開始剤成分(c成分)、及びトリアリルイソシアヌレート及び/又はトリアリルシアヌレート(d成分)からなり、a成分とb成分との質量比は1:99〜99.9:0.1であり、a成分とb成分との質量の総和に対してc成分が0.001〜20質量%、かつ、d成分が0.1〜200質量%の割合で含まれている架橋性ポリフェニレンエーテル樹脂組成物(A)と、基材(B)とからなり、AとBの総和に対してBの割合が5〜90質量%であることを特徴とする架橋性複合材料。
IPC (8):
C08J 5/04 CEZ ,  B32B 15/08 ,  C08F 2/44 ,  C08F290/06 ,  C08K 5/3492 ,  C08L 71/12 ,  C08L 83/07 ,  H01L 23/14
FI (9):
C08J 5/04 CEZ ,  B32B 15/08 J ,  B32B 15/08 U ,  C08F 2/44 C ,  C08F290/06 ,  C08K 5/3492 ,  C08L 71/12 ,  C08L 83/07 ,  H01L 23/14 R
F-Term (67):
4F072AA04 ,  4F072AA07 ,  4F072AA08 ,  4F072AB03 ,  4F072AB04 ,  4F072AB05 ,  4F072AB06 ,  4F072AB08 ,  4F072AB09 ,  4F072AB10 ,  4F072AB11 ,  4F072AB28 ,  4F072AB29 ,  4F072AB31 ,  4F072AD42 ,  4F072AD47 ,  4F072AE02 ,  4F072AF23 ,  4F072AF27 ,  4F072AG19 ,  4F072AH02 ,  4F072AH22 ,  4F072AJ04 ,  4F072AK05 ,  4F072AK14 ,  4F072AL09 ,  4F100AB01A ,  4F100AB17 ,  4F100AB33A ,  4F100AG00 ,  4F100AH06B ,  4F100AH07B ,  4F100AK54B ,  4F100AN00 ,  4F100BA02 ,  4F100BA07 ,  4F100CA02B ,  4F100CA30B ,  4F100EH46 ,  4F100EJ05B ,  4F100EJ17 ,  4F100EJ24 ,  4F100EJ42 ,  4F100GB43 ,  4F100JA02 ,  4F100JB01 ,  4F100JJ03 ,  4F100JL00 ,  4F100JL04 ,  4F100YY00B ,  4J002CH071 ,  4J002CP122 ,  4J002EU196 ,  4J002FD146 ,  4J002GF00 ,  4J011PA90 ,  4J011PC02 ,  4J011PC08 ,  4J027AF03 ,  4J027AJ02 ,  4J027BA29 ,  4J027CA10 ,  4J027CB04 ,  4J027CB09 ,  4J027CB10 ,  4J027CC02 ,  4J027CD01
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

Return to Previous Page