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J-GLOBAL ID：200903054183707718

発光素子の製造方法及び発光素子

Inventor：
石崎 順也

About 石崎 順也


Applicant, Patent owner：
信越半導体株式会社

About 信越半導体株式会社


Agent (1)： 菅原 正倫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001232608
Publication number (International publication number)：2003046128
Application date： Jul. 31, 2001
Publication date： Feb. 14, 2003
Summary：
【要約】【課題】 MgaZn1-aO型酸化物からなる高品質の発光層部が実現可能な発光素子の製造方法と、それにより製造可能な発光素子とを提供する。【解決手段】 発光層部がMgaZn1-aO(ただし、0≦a≦1)型酸化物からなる発光素子1の製造方法において、発光層部との接触側が少なくともMgaZn1-aO型酸化物層とされたバッファ層11を基板10上に成長し、該バッファ層10上に発光層部を成長させる。また、MgaZn1-aO型酸化物は、c軸方向に交互に積層される金属原子層と酸素原子層とからなるウルツ鉱型結晶構造を有するものであり、バッファ層11を、ウルツ鉱型結晶構造のc軸を層厚方向に配向させたものとして成長するとともに、該バッファ層11を成長する際に、原子層エピタキシ法を用いて基板上に金属原子層を金属単原子層として形成した後、残余の酸素原子層と金属原子層とを成長させる。
Claim (excerpt)：
発光層部がMgaZn1-aO(ただし、0≦a≦1)型酸化物からなる発光素子の製造方法において、前記発光層部との接触側が少なくともMgaZn1-aO型酸化物層とされたバッファ層を基板上に成長し、該バッファ層上に前記発光層部を成長させるようにし、前記MgaZn1-aO型酸化物は、c軸方向に交互に積層される金属原子層と酸素原子層とからなるウルツ鉱型結晶構造を有するものであり、前記バッファ層を、前記ウルツ鉱型結晶構造のc軸を層厚方向に配向させたものとして成長するとともに、該バッファ層を成長する際に、原子層エピタキシ法を用いて前記基板上に前記金属原子層を金属単原子層として形成した後、残余の酸素原子層と金属原子層とを成長させることを特徴とする発光素子の製造方法。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205
FI (2)：
H01L 33/00 D ,  H01L 21/205
F-Term (30)：
5F041AA03 ,  5F041AA40 ,  5F041CA04 ,  5F041CA41 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F041CA82 ,  5F041CA88 ,  5F041CB15 ,  5F045AA04 ,  5F045AA15 ,  5F045AB22 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AE21 ,  5F045AE23 ,  5F045AE30 ,  5F045AF06 ,  5F045AF09 ,  5F045CA11 ,  5F045CB01 ,  5F045CB02 ,  5F045DA53 ,  5F045DA63
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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