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J-GLOBAL ID：200903054200325760

レジスト組成物、レジストパターンの製造方法、及び半導体装置の製造方法

Inventor： 並木 崇久 ,  野崎 耕司 ,  小澤 美和 ,  今 純一
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 廣田 浩一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002139312
Publication number (International publication number)：2003330168
Application date： May. 14, 2002
Publication date： Nov. 19, 2003
Summary：

【要約】【課題】 高精度のレジストパターンを容易に形成することができるレジスト組成物、簡易で工程数が少なく製造効率に優れるレジストパターンの製造方法及び半導体装置の製造方法等の提供。【解決手段】 芳香族炭化水素及び脂環族炭化水素の少なくともいずれかを構造中に有してなりかつ昇華性である添加剤と、該添加剤よりもエッチング耐性が低くかつ該添加剤と反応可能な樹脂とを含有するレジスト組成物。該添加剤と該樹脂とが露光されると加水分解反応により結合可能である態様、脂環族炭化水素がアダマンタン及びフラーレンのいずれかである態様、などが好ましい。前記レジスト組成物を塗布して塗布膜を形成し、該塗布膜にパターン状に露光を行った後、ドライエッチングを行うレジストパターンの製造方法。該レジストパターンの製造方法によりレジストパターンを形成することを少なくとも含む半導体装置の製造方法。

Claim (excerpt)：

芳香族炭化水素及び脂環族炭化水素の少なくともいずれかを構造中に有してなりかつ昇華性である添加剤と、該添加剤よりもエッチング耐性が低くかつ該添加剤と反応可能な樹脂とを含有することを特徴とするレジスト組成物。

IPC (3)：

G03F 7/004 501 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/027

FI (3)：

G03F 7/004 501 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/30 502 R

F-Term (21)：

2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC08 ,  2H025AD01 ,  2H025BE00 ,  2H025BH04 ,  2H025CB04 ,  2H025CB07 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB51 ,  2H025CC20 ,  2H025FA12 ,  2H025FA41 ,  2H096AA25 ,  2H096BA01 ,  2H096EA04 ,  2H096EA23 ,  2H096FA01 ,  2H096HA23