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J-GLOBAL ID：200903054202421618

非線形光学材料の製造方法

Inventor： 田中 彰美
Applicant, Patent owner： ホーヤ株式会社
Agent (1)： 塩澤 寿夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993275071
Publication number (International publication number)：1995104329
Application date： Oct. 06, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 電場配向後の非線形活性の経時緩和が少なく、長期間経過しても高い非線形活性を保持し得るホスト-ゲスト型非線形光学材料の製造方法の提供。【構成】 非線形光学活性を有する化合物を分散した高分子膜を基板上に形成する工程、前記高分子膜及び基板を、前記高分子膜のガラス転移点と融点との間の温度T1 で熱処理する工程、熱処理した前記高分子膜及び基板を、前記高分子膜のガラス転移点より20°C以上低い温度T2 まで冷却する工程、及び前記高分子膜のガラス転移点より20°C低い温度から前記高分子膜のガラス転移点より20°C高い温度までの間の温度T3 で、冷却した前記基板上の前記高分子膜に電界を印加する工程を含む非線形光学材料の製造方法。

Claim (excerpt)：

非線形光学活性を有する化合物を分散した高分子膜を基板上に形成する工程、前記高分子膜及び基板を、前記高分子膜のガラス転移点と融点との間の温度T1 で熱処理する工程、熱処理した前記高分子膜及び基板を、前記高分子膜のガラス転移点より20°C以上低い温度T2 まで冷却する工程、及び前記高分子膜のガラス転移点より20°C低い温度から前記高分子膜のガラス転移点より20°C高い温度までの間の温度T3 で、冷却した前記基板上の前記高分子膜に電界を印加する工程、を含むことを特徴とする非線形光学材料の製造方法。