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J-GLOBAL ID：200903054202739286

多元金属又は金属化合物層の成長のための方法及び組成物

Inventor： ヨシヒデ センザキ ,  デビット アレン ロバーツ ,  ジョン アントニー トーマス ノーマン
Applicant, Patent owner： エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテッド
Agent (1)： 石田 敬 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000212008
Publication number (International publication number)：2001081560
Application date： Jul. 07, 2000
Publication date： Mar. 27, 2001
Summary：

【要約】【課題】 基材上に多元金属又は金属化合物層を成長させるための組成物と方法の提供。【解決手段】 少なくとも2種の金属-配位子錯体前駆物質の無溶媒混合物を含み、当該混合物が周囲条件において液体であり、且つ当該配位子が、アルキル、アルコキシド、ハロゲン、水素、アミド、イミド、アジ化物イオン、硝酸根、シクロペンタジエニル、カルボニル、並びにそれらのフッ素、酸素及び窒素置換類似物からなる群より選ばれる組成物とする。これを用いて層を得るためには、当該組成物を基材が位置する成長帯域へ送出し、基材を成長条件下で当該組成物と接触させて基材上に多元金属又は金属化合物層を成長させ、組成物と基材との接触を、化学気相成長、スプレー熱分解、ゾル-ゲルプロセス、スピンコーティング及び原子層エピタキシーのうちから選択する。

Claim (excerpt)：

下記のa)〜d)を含む、電子材料の基材上に多元金属又は金属化合物層を成長させるための方法。a)周囲条件において液体を構成する2種以上の金属-配位子錯体前駆物質の無溶媒混合物であって、当該配位子が同一であり、且つアルキル、アルコキシド、ハロゲン、水素、アミド、イミド、アジ化物イオン、硝酸根、シクロペンタジエニル、カルボニル、並びにそれらのフッ素、酸素及び窒素置換類似物からなる群より選ばれる、無溶媒混合物を提供することb)当該無溶媒混合物を上記基材が位置している成長帯域へ送出することc)当該基材を成長条件下で当該無溶媒混合物と接触させ、この成長条件下での接触を、化学気相成長、スプレー熱分解、ゾル-ゲルプロセス、スピンコーティング及び原子層エピタキシーからなる群より選択することd)当該無溶媒混合物から当該基材上に多元金属又は金属化合物層を成長させること

IPC (10)：

C23C 16/06 ,  C01B 33/06 ,  C01G 25/00 ,  C01G 35/00 ,  C23C 16/30 ,  H01L 21/285 ,  H01L 27/105 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 39/24 ZAA

FI (10)：

C23C 16/06 ,  C01B 33/06 ,  C01G 25/00 ,  C01G 35/00 C ,  C23C 16/30 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 Z ,  H01L 39/24 ZAA B ,  H01L 27/10 444 C ,  H01L 27/10 651

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 特開昭60-108338
  
• 銅とアルミニウムの化学的蒸着方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-044302   Applicant：エアー.プロダクツ.アンド.ケミカルス.インコーポレーテッド