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J-GLOBAL ID：200903054223056049

レーザプラズマX線源およびそれを用いた半導体露光装置並びに半導体露光方法

Inventor： 粉川 信好 ,  松井 哲也 ,  西 政嗣
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998155582
Publication number (International publication number)：1999345698
Application date： Jun. 04, 1998
Publication date： Dec. 14, 1999
Summary：

【要約】【課題】デブリの発生が少なく、X線変換効率が高いレーザプラズマX線源およびそれを用いた半導体露光装置並びに半導体露光方法を提供する。【解決手段】微粒子混合ガスターゲット10は、ポリスチレンなどの有機物質10aに金などの金属10bをコーティングした微粒子10dとX線透過率が高いガス10cとで構成し、その微粒子混合ガスターゲット10にレーザ光2を照射してX線14を得る。

Claim (excerpt)：

真空容器内でレーザ光をターゲットに照射してプラズマを生成し、そのプラズマからX線を発生させるレーザプラズマX線源において、前記ターゲットは、金属を前記金属より比重の小さい物質にコーティングした粒子と気体とを混合したものであり、前記ターゲットを噴射するターゲット噴射装置と、前記レーザ光を噴射された前記ターゲットに照射するレーザ照射装置を備えることを特徴とするレーザプラズマX線源。

IPC (3)：

H05G 2/00 ,  G21K 5/02 ,  H01L 21/027

FI (4)：

H05G 1/00 K ,  G21K 5/02 X ,  H01L 21/30 531 S ,  H01L 21/30 531 A