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J-GLOBAL ID：200903054242158260

処理方法及び処理装置

Inventor：
菊池 秋広

About 菊池 秋広

, 
佐々木 康晴

About 佐々木 康晴


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社


Agent (1)： 須山 佐一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002366237
Publication number (International publication number)：2004200353
Application date： Dec. 18, 2002
Publication date： Jul. 15, 2004
Summary：
【課題】排気系の負担の増大や、ランニングコストの上昇を招くことなく、半導体ウエハWの端部における不所望な堆積物の堆積を防止することのできる処理方法及び処理装置を提供する。【解決手段】真空チャンバ1内には、半導体ウエハWが載置され、下部電極を兼ねたサセプタ2が設けられており、サセプタ2上には、半導体ウエハWの周囲を囲むように、フォーカスリング4が設けられている。また、サセプタ2上に載置された半導体ウエハWの裏面側端部に堆積する堆積物と化学的に反応する作用を有する堆積物除去ガス(例えばO2 等)を、半導体ウエハWの裏面側端部近傍に供給する堆積物除去ガス供給機構30が設けられている。【選択図】 図1
Claim (excerpt)：
被処理基板の表面に、所定の処理を行う処理方法において、 前記所定の処理に伴って前記被処理基板の端部に堆積する堆積物と化学的に反応する作用を有する堆積物除去ガスを前記被処理基板の端部近傍に供給し、前記堆積物の堆積を防止することを特徴とする処理方法。
IPC (1)：
H01L21/3065
FI (1)：
H01L21/302 102
F-Term (11)：
5F004AA13 ,  5F004BA08 ,  5F004BB08 ,  5F004BC03 ,  5F004CA02 ,  5F004DA00 ,  5F004DA22 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DA26 ,  5F004DB23
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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