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J-GLOBAL ID:200903054245654772

薄膜発光素子及び発光装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 中野 雅房
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1994079594
Publication number (International publication number):1995262801
Application date: Mar. 25, 1994
Publication date: Oct. 13, 1995
Summary:
【要約】【目的】 白色のフォトルミネセンス光を発光する薄膜型の素子を得る。【構成】 RFマグネトロン型ECRスパッタ装置を用い、そのターゲットをpure Zn金属とし、雰囲気ガスをAr+O2ガスとし、230°Cに加熱したR面サファイア基板の表面に71Å/minの成膜速度で980Åの膜厚にZnOエピタキシャル膜を成長させた。ZnOエピタキシャル膜を1.8°Kに冷却した状態で、出力パワー1mWのHe-Cdレーザー光を照射すると、白色のフォトルミネセンス光が観測された。
Claim (excerpt):
基板上に形成したZnOエピタキシャル膜よりなることを特徴とする薄膜発光素子。
IPC (3):
F21K 2/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/00
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • 酸化物薄膜基板材料
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平4-108458   Applicant:株式会社日鉱共石
  • 特開平2-037385
  • 特開昭62-081076

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