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J-GLOBAL ID：200903054246197502

炭化珪素半導体素子とその製造法及び用途

Inventor： 川瀬 大助 ,  小園 裕三 ,  八尾 勉 ,  井上 洋典 ,  大野 俊之 ,  岩崎 貴之
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995094770
Publication number (International publication number)：1996288500
Application date： Apr. 20, 1995
Publication date： Nov. 01, 1996
Summary：

【要約】【目的】高耐圧のプレーナー型p-n接合を有する炭化珪素半導体素子とその形成方法を提供する。【構成】プレーナー型p-n接合を有する炭化珪素半導体素子のプレーナー型p-n接合の端部を電界集中を緩和した薄型偏平形状にした。ホトレジスト膜のマスクとイオン注入マスク膜との特定の密着性処理後にSiO2 膜の等方エッチングによって形成されたイオン注入マスクを通してイオン注入p-n接合を形成した。

Claim (excerpt)：

プレーナー型p-n接合を有する炭化珪素半導体素子において、前記p-n接合におけるp領域又はn領域の断面形状が平行部の端点から表面までの垂直距離より前記端点から表面に交わる点までの距離が大きい形状を有することを特徴とする炭化珪素半導体素子。

IPC (17)：

H01L 29/06 ,  H01L 21/266 ,  H01L 21/82 ,  H01L 27/00 301 ,  H01L 21/8222 ,  H01L 27/06 ,  H01L 21/8224 ,  H01L 27/082 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 29/43 ,  H01L 29/872 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/861

FI (14)：

H01L 29/06 ,  H01L 27/00 301 B ,  H01L 21/265 M ,  H01L 21/82 A ,  H01L 27/06 101 D ,  H01L 27/08 101 V ,  H01L 27/10 601 ,  H01L 29/46 F ,  H01L 29/48 F ,  H01L 29/48 Z ,  H01L 29/72 ,  H01L 29/74 G ,  H01L 29/78 301 B ,  H01L 29/91 D