Pat

J-GLOBAL ID：200903054253251660

半導体基板及び半導体装置

Inventor： 加藤 正高 ,  堀内 勝忠
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991295474
Publication number (International publication number)：1993136259
Application date： Nov. 12, 1991
Publication date： Jun. 01, 1993
Summary：

【要約】 (修正有)【目的】電離性放射線環境下において用いられるSOI型MOSトランジスタにおいて、放射線照射によるバックゲートチャネル形成に伴うリーク電流発生による誤動作を防止する。【構成】SOI基板において、埋込酸化膜(2)の少なくとも一部分に電子・正孔に対する再結合を促進させる領域(4)を設けるか、あるいは素子を形成するp形半導体基板(1)の不純物濃度よりもベース基板の表面領域の不純物濃度を高く設定する。

Claim (excerpt)：

第1の半導体基板上に形成された第1の絶縁膜及び該第1の絶縁膜上に形成された第2の半導体基板からなる基板構造において、第1の絶縁膜の少なくとも一部分に電子・正孔に対する再結合を促進させる領域を有することを特徴とする半導体基板。

IPC (3)：

H01L 21/76 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/784

FI (2)：

H01L 29/78 311 X ,  H01L 29/78 311 R