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J-GLOBAL ID：200903054258997873

TFTポリシリコン薄膜作成方法

Inventor： 池田 裕司郎 ,  黒田 和也
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992068918
Publication number (International publication number)：1993217895
Application date： Mar. 27, 1992
Publication date： Aug. 27, 1993
Summary：

【要約】【目的】 多大なコストを要せず、アモルファスSiデポ後に、アモルファスSi膜に混入するO原子の不純物を少なくする。【構成】 LP-CVD法によりウェハー上にアモルファスSi膜を堆積した後、in-situプロセスで引き続いて、窒素雰囲気下での固相成長を行うことによりTFTポリシリコン薄膜を作成する。

Claim (excerpt)：

LP-CVD法によりウエハー上にアモルファスシリコン膜を堆積した後、in-situプロセスで引き続いて、窒素雰囲気下での固相成長を行うことによりTFTポリシリコン薄膜を作成することを特徴とするTFTポリシリコン薄膜作成方法。

IPC (5)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/11 ,  H01L 21/336 ,  H01L 29/784

FI (2)：

H01L 27/10 381 ,  H01L 29/78 311 Y

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 特開平4-321219