Pat

J-GLOBAL ID：200903054262042047

半導体記憶装置及び記憶システム

Inventor： 竹内 健 ,  田中 智晴
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 外川 英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996302335
Publication number (International publication number)：1998003792
Application date： Oct. 29, 1996
Publication date： Jan. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】 書き込みに要する時間を短縮することができる多値記憶の半導体記憶装置の提供。【解決手段】 “1”〜“4”までの4値をしきい値の違いで記憶するメモリセルを備えた多値記憶の半導体記憶装置において、第1の書き込み動作においてメモリセルは、“L”の論理レベルが入力すると“1”状態になり、“H”の論理レベルが入力すると“2”状態になり、第1の書き込み動作の結果“1”状態であるメモリセルは第2の書き込み動作において、“L”の論理レベルが入力すると“1”状態のままになり、“H”の論理レベルが入力すると“3”状態になり、第1の書き込み動作の結果“2”状態であるメモリセルは第2の書き込み動作において、“L”の論理レベルが入力すると“2”状態のままになり、“H”の論理レベルが入力すると“4”状態になる。

Claim (excerpt)：

“1”状態は第1のしきい値レベルを有し、“2”状態は第2のしきい値レベルを有し、“3”状態は第3のしきい値レベルを有し、“i”状態(iはn以下の自然数であり、nは3以上の自然数)は第iのしきい値レベルを有するようなn値を記憶するメモリセルを備えた半導体記憶装置において、メモリセルが“1”状態,“2”状態,...,“m-1”状態,“m”状態(mは2以上の自然数)のいずれかを保持する場合に、メモリセルの外部から入力する書き込みデータとメモリセルが保持するデータに基づいて、前記メモリセルを“1”状態,“2”状態,...,“k-1”状態,“k”状態(kはmより大きい自然数)のいずれかにすることを特徴とする半導体記憶装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 不揮発性半導体記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-147671   Applicant：株式会社東芝
• 特開昭62-006493