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J-GLOBAL ID：200903054279540520

半導体センサのための酸化金属材料およびその材料を用いた一酸化炭素センサ

Inventor： ララモナ ジェラルド ,  石原 邦男 ,  アンセイ パスカル
Applicant, Patent owner： アイシン精機株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000054238
Publication number (International publication number)：2000283941
Application date： Feb. 29, 2000
Publication date： Oct. 13, 2000
Summary：

【要約】【課題】 高濃度水素ガス雰囲気下で一酸化炭素ガスを選択的に高感度に検出でき、温度安定性に優れた半導体センサのための酸化金属材料およびその材料を用いた一酸化炭素センサを提供し、単純で、確実で、信頼性が高く、生産性に優れた一酸化炭素センサを提供する。【解決手段】 酸化インジウムと酸化亜鉛、またはそれに酸化ガリウムが含まれていることを特徴とする半導体センサのための酸化金属材料およびこの酸化金属材料を用いて、高濃度水素ガス雰囲気下における一酸化炭素ガスを検出することを特徴とする一酸化炭素センサ。

Claim (excerpt)：

酸化インジウムと酸化亜鉛が含まれていることを特徴とする半導体センサのための酸化金属材料。