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J-GLOBAL ID：200903054288973847
薄膜ダイヤモンドの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992095333
Publication number (International publication number)：1993294793
Application date： Apr. 15, 1992
Publication date： Nov. 09, 1993
Summary：
【要約】【目的】 異種基体に必要な領域に、緻密でかつ密着性のある多結晶薄膜ダイヤモンドの製造方法を提供する。【構成】 基体1上にフォトレジスト2をパターン形成し、その上に中間層3を形成する。その後レジストを除去しパターニングされた中間層31が得られる。次に、2500Å以下の微細粉末ダイヤモンドをフォトレジストに混合したものを用意しておき、該フォトレジストを全面に塗布し、中間層上にパターン化した微細粉末ダイヤモンドを混合したフォトレジスト層4を形成させる。これをプレス機の圧力で加圧し、中間層31に微細粉末ダイヤモンド粒子5を圧入する。次に気相合成法により、該基体上の中間層に埋め込まれたダイヤモンドを核として所定の領域に緻密かつ密着性のある薄膜ダイヤモンドが形成される。
Claim (excerpt)：
基板上に薄膜ダイヤモンドを気相合成するにあたり、基板表面の所定の領域に中間層を少なくとも1層形成し、かつ該中間層表面に微細粉末ダイヤモンドを圧入し、該微細粉末ダイヤモンドを核としてダイヤモンド薄膜を成長させることを特徴とする薄膜ダイヤモンドの製造方法。
IPC (3)：
C30B 29/04
, H01L 21/205
, H01L 33/00
