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J-GLOBAL ID：200903054292994506
処理装置
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
,
Agent (1)：
中本 菊彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991287324
Publication number (International publication number)：1993102024
Application date： Oct. 08, 1991
Publication date： Apr. 23, 1993
Summary：
【要約】【目的】簡単な構造により必要かつ十分な濃度の処理液ガスを確実に供給することができる処理装置を提供する。【構成】半導体ウエハWの処理部1と接続する収容タンク10にN2 ガス供給用配管9を接続する。収容タンク10内に処理液誘導体11を配設する。収容タンク10内のHMDS液8は毛細管現象により処理液誘導体11に沿って液面より上方へ誘導されると共に、拡散される。これにより、蒸発が容易となり、蒸発によりガス化されたHMDSガスとなる。このHMDSガスが収容タンク10内に供給されるN2 ガスに伴って半導体ウエハWの処理部1内に供給される。
Claim (excerpt)：
被処理体処理部と、処理液収容部と、処理液気化部とを具備する処理装置において、上記処理液気化部を、上記処理液収容部に配設され、かつ処理液を誘導する処理液誘導体にて形成してなることを特徴とする処理装置。
IPC (4)：
H01L 21/027
, H01L 21/02
, H01L 21/205
, H01L 21/304 341
