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J-GLOBAL ID：200903054301734598

超電導トランジスタ

Inventor： 杉井 信之 ,  樽谷 良信 ,  長谷川 晴弘 ,  樺沢 宇紀 ,  深沢 徳海 ,  高木 一正
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996126836
Publication number (International publication number)：1997312424
Application date： May. 22, 1996
Publication date： Dec. 02, 1997
Summary：

【要約】【課題】酸化物超電導トランジスタの利得を向上すること。【解決手段】伝導キャリア数変化により絶縁体-金属転移を起こす物質、好ましくは(LaxY1-x)1-z(SryCa1-y)zTiO3を絶縁体-金属転移のごく近傍の組成で常伝導チャネル層の物質12として用い、外部より電界等を印加することによりチャネル層の物質12の伝導特性を変化させ、これに伴って近接効果による超電導電流を変調させる。また絶縁体-金属転移を起こす組成の近傍で、複数の異なる組成の物質をチャネル層に用いることにより、同一の入力に対し同時に異なる出力を得る。【効果】チャネル層の物質12の絶縁体-金属転移に伴い、超電導電流の量が大幅に変化し、超電導トランジスタ24の利得が増大する。また、トランジスタの相補的動作も可能になる。

Claim (excerpt)：

チャネル層と、該チャネル層に互いに離間して設けられた2つの超電導電極とを含んで構成され、上記チャネル層の物質に、外部より電荷密度変化による絶縁体-金属転移を生じさせ、それに対応して、上記超電導電極間に近接効果により該チャネル層を介して流れる超電導電流の変化を生じさせることを特徴とする超電導トランジスタ。