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J-GLOBAL ID：200903054306548083

アッシング方法及びその装置

Inventor： 江藤 英雄 ,  小島 可容子
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995182553
Publication number (International publication number)：1997036089
Application date： Jul. 19, 1995
Publication date： Feb. 07, 1997
Summary：

【要約】【課題】本発明は、有機薄膜を下地膜に対して選択比を高くして除去する。【解決手段】O2 ガスとCHF3 ガスにNH3 ガスを混合したアッシング用ガスをプラズマ発生室9に導入し、マイクロ波を導入してプラズマを発生させ、このプラズマにより生じた活性種により被処理体3上の下地膜としてのa-Si膜5上に形成された有機薄膜(レジスト)6を除去する。このときa-Si膜5上にアンモニウム塩が形成され、a-Si膜5に対するエッチングが阻止される。

Claim (excerpt)：

反応容器内にアッシング用ガスを導入してプラズマを発生させ、このプラズマにより生じた活性種によりシリコン系の下地膜上に形成された有機薄膜を除去するアッシング方法において、前記アッシング用ガスとして酸素を含むガス及びフッ素系ガスに、少なくとも窒素及び水素を含むガスを混合した混合ガスを用いる、ことを特徴とするアッシング方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027

FI (3)：

H01L 21/302 H ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 572 A