Pat

J-GLOBAL ID：200903054315986999

パターン形成方法及び感光膜形成方法

Inventor： 森澤 拓 ,  福田 宏 ,  白石 洋
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995127769
Publication number (International publication number)：1996320568
Application date： May. 26, 1995
Publication date： Dec. 03, 1996
Summary：

【要約】【構成】被加工材を表面に有する基板上に形成したシリコン含有レジスト膜に、大気中もしくは酸素雰囲気中で選択的に光を照射して露光部を光酸化し、これを現像して上記光酸化した部分もしくは、それ以外の部分を選択的に除去してレジストパターンを形成し、これをマスクとして、被加工材をエッチングする。【効果】高い解像性能と、大きなドライエッチ耐性,優れた寸法制御性を有し、かつ工程数の少ない低コストでスループットの高いパターン形成が可能となる。

Claim (excerpt)：

被加工材を表面に有する基板上に選択的に光を照射してパターンを形成する方法において、Si-O結合およびSi-芳香族官能基結合を持つポリマー又はオリゴマー、またはSi-O結合を持つポリマーとSi-芳香族官能基結合を持つポリマー又はオリゴマーの混合物を、80重量パーセント以上含む感光性材料を、回転塗布法により上記基板上にレジスト膜として形成し、大気中、または酸素雰囲気中で波長250nm以下の光を用いて、上記レジスト膜を選択的に露光することにより、上記露光部のSi-O結合数を3パーセント以上増加させ、上記レジスト膜を現像して上記露光部、又は上記露光部以外のレジスト膜を選択的に除去し、レジストパターンを形成することを特徴とするパターン形成方法。

IPC (12)：

G03F 7/075 511 ,  C08L 83/04 LRM ,  C09D183/04 PMM ,  G03F 7/16 502 ,  G03F 7/20 505 ,  G03F 7/30 ,  G03F 7/36 ,  G03F 7/38 512 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/312

FI (16)：

G03F 7/075 511 ,  C08L 83/04 LRM ,  C09D183/04 PMM ,  G03F 7/16 502 ,  G03F 7/20 505 ,  G03F 7/30 ,  G03F 7/36 ,  G03F 7/38 512 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/312 C ,  H01L 21/30 568 ,  H01L 21/30 569 E ,  H01L 21/30 569 H ,  H01L 21/30 570 ,  H01L 21/30 571 ,  H01L 21/302 H