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J-GLOBAL ID：200903054341808144

半導体レーザ素子

Inventor： 田中 俊明
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992061772
Publication number (International publication number)：1993267773
Application date： Mar. 18, 1992
Publication date： Oct. 15, 1993
Summary：

【要約】【目的】短波長レーザの閾値電流の低減及び高温動作を改善する。【構成】n型GaAs基板1の上にn型GaAsバッファ層2,n型光導波層3,量子井戸層と、アンドープ量子障壁層、及び量子井戸層両側にAl組成を階段状に設定した光分離閉じ込め層アンドープ(Aly3Ga1-y3)βIn1-βP 層とから構成される多重量子井戸活性層12,p型光導波層5,p型バッファ層6を成長温度750°Cにおいて有機金属気相成長法によりエピタキシャル成長させた。この後、ホトリソグラフィによりSiO2 マスクを形成し、ケミカルエッチングにより層5を0.2〜0.4μm残すところまで層5と層6をエッチング除去してリッジストライプを形成する。次に、SiO2 マスクを残したまま、n型GaAs電流狭窄兼光吸収層7を選択成長する。さらに、p型GaAsコンタクト層8を埋め込み成長した後、p電極9及びn電極10を蒸着する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に、有機金属気相成長法又は分子線エピタキシ法により成長された禁制帯幅の大きな光導波層(Al<SB>y2</SB>Ga<SB>1-y2</SB>)<SB>α</SB>In<SB>1-α</SB>P(0<y<SB>2</SB>≦1,0.2<α<0.8)に挾まれた多重量子井戸構造(量子障壁層(Al<SB>y1</SB>Ga<SB>1-y1</SB>)<SB>β</SB>In<SB>1-β</SB>P(0<y<SB>1</SB><y<SB>2</SB>≦1,0.1<β<0.8)と量子井戸層(Al<SB>x</SB>Ga<SB>1-x</SB>)<SB>γ</SB>In<SB>1-γ</SB>P(0≦x<y<SB>1</SB><y<SB>2</SB>≦1,0.1<γ<0.8)の周期構造からなる)における前記量子井戸層内において、前記半導体基板と格子整合しないように前記量子井戸層を形成する材料の組成γを変えて歪を導入するが、前記量子障壁層とのヘテロ界面から少なくとも1原子層以上1単位格子分の0.5〜1.0nm領域の範囲には歪を導入せず、それより中央部よりの所定の位置に歪を一定量導入するか或いは前記量子井戸層中央部に向けて歪量を徐々に大きくしていくグレーデッド歪層とすることを特徴とする半導体レーザ素子。