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J-GLOBAL ID：200903054355024316
III-V族化合物半導体のエピタキシャル成長方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
舘野 千惠子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993218212
Publication number (International publication number)：1995058011
Application date： Aug. 10, 1993
Publication date： Mar. 03, 1995
Summary：
【要約】【目的】 III-V族化合物半導体のエピタキシャル成長方法において、オゾン層破壊物質を用いることなく、ドーパントガスの熱分解を行うことなく、従来よりも少量のドーパントガスにより、高濃度炭素ドープp型層を広いドーピング濃度範囲で制御性良く成長する。【構成】 炭素のドーパントガスとして、ジメチルガリウムクロライド(DMGaCl)などの、炭素原子を含む原子団と基板上で分解しない原子団とが結合した構造の原料を用いる。
Claim (excerpt)：
III-V族化合物半導体のエピタキシャル成長方法において、炭素をドーピングするための原料として、炭素原子を含む原子団と、基板上で分解しない原子団とが結合した構造を持つ原料を用いることを特徴とするエピタキシャル成長方法。
Patent cited by the Patent：
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