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J-GLOBAL ID：200903054357185686

シリコンウエハのエッジ鏡面化方法

Inventor： 岩本 嘉夫 ,  池田 清利
Applicant, Patent owner： エム・イー・エム・シー株式会社
Agent (1)： 渡邉 一平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998091932
Publication number (International publication number)：1999288903
Application date： Apr. 03, 1998
Publication date： Oct. 19, 1999
Summary：

【要約】【課題】 シリコンウエハのエッジに均一な鏡面化を施すエッジ鏡面化方法を提供する。【解決手段】 シリコンウエハのエッジを鏡面化する方法である。シリコンウエハ10の少なくともエッジ部13を、その上方に配設した薬液注入ノズル14から、エッチング速度を抑制した組成を有するエッチング用化学薬液を滴下することにより鏡面化処理する。

Claim (excerpt)：

シリコンウエハのエッジを鏡面化するにあたり、シリコンウエハの少なくともエッジ部を、エッチング速度を抑制した組成を有するエッチング用化学薬液により処理することを特徴とするシリコンウエハのエッジ鏡面化方法。

IPC (3)：

H01L 21/304 621 ,  H01L 21/304 622 ,  H01L 21/306

FI (3)：

H01L 21/304 621 E ,  H01L 21/304 622 A ,  H01L 21/306 B