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J-GLOBAL ID：200903054372854110

半導体装置の製造方法

Inventor： 安曇 敏明
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 安富 耕二 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996123488
Publication number (International publication number)：1997306932
Application date： May. 17, 1996
Publication date： Nov. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】 薄肉のGaAs基板の裏面に金メッキ層を形成した半導体ウェハを精度良くダイシングでき、且つダイシング後の半導体チップのダイボンディングを効率的に行うことができる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 導電性接着シート13と紫外線シート14とを貼り合わせて2層のシート構造とする工程と、導電性接着シート13表面に薄肉のガリウムひ素基板11の裏面に金メッキ層12を形成した半導体ウエハ10を貼付ける工程と、ガリウムひ素基板の表面から紫外線シート14の内部に達する切削を行う工程と、2層構造のシート裏面から紫外線を照射して紫外線シート14の接着力を弱めて導電性接着シート13が付着した半導体チップを分離する工程と、導電性シート13が裏面に付着した半導体チップをダイボンディングする工程とからなる。

Claim (excerpt)：

導電性接着シートと紫外線シートとを貼り合わせて2層のシート構造とする工程と、前記導電性接着シート表面に薄肉のガリウムひ素基板の裏面に金メッキ層を形成した半導体ウエハを貼付ける工程と、前記ガリウムひ素基板の表面から前記紫外線シートの内部に達する切削を行う工程と、前記2層構造のシート裏面から紫外線を照射して前記紫外線シートの接着力を弱めて導電性接着シートが付着した半導体チップを分離する工程と、前記導電性シートが裏面に付着した半導体チップをダイボンディングする工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/52 ,  H01L 21/60 301 ,  H01L 21/301

FI (4)：

H01L 21/52 C ,  H01L 21/60 301 M ,  H01L 21/78 M ,  H01L 21/78 Q