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J-GLOBAL ID：200903054375252820

マスク形成方法

Inventor： 福田 宏 ,  寺澤 恒男 ,  長谷川 昇雄 ,  田中 稔彦 ,  大嶋 卓
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995111528
Publication number (International publication number)：1996051068
Application date： May. 11, 1988
Publication date： Feb. 20, 1996
Summary：

【要約】【目的】 デバイスのパタン形成に際して上記デバイスの極微細パタン領域の露光に対しては位相シフトマスクを、また、その他のパタン領域の露光には通常の透過型マスクを用いた縮小投影露光で適用することにより達成される。【構成】 一枚又は異なるマスク上に位相シフトマスク領域と透過型マスク領域を有し試料上の同一位置に重ね露光させる。これを用いれば、上記極微細パタン領域と回路パタン領域を上記試料上に同時に露光することができる。【効果】 極微細パタンを有するデバイスのパタン形成において、簡便かつスループットの大きい、経済性に優れた微細素子の形成方法を提供することにある。

Claim (excerpt)：

所望のパターンを与えるマスクパターンの露光領域を、第1の露光領域と第2の露光領域に分解する工程、第1の露光領域を含む第1のマスクと第2の露光領域を含む第2のマスクを形成する工程、を含み上記第1のマスクと上記第2のマスクの少なくともどちらか一方は、隣接する光透過部を通過する光の位相を反転させる位相シフトパターンを含む位相シフトマスクであることを特徴とするマスク形成方法。

IPC (3)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521

FI (3)：

H01L 21/30 528 ,  H01L 21/30 502 P ,  H01L 21/30 502 C