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J-GLOBAL ID：200903054377114530

半導体装置

Inventor： 菅 孝 ,  若田部 勝 ,  田中 貢 ,  九里 伸治 ,  杉山 明
Applicant, Patent owner： 新電元工業株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992058394
Publication number (International publication number)：1993136015
Application date： Mar. 16, 1992
Publication date： Jun. 01, 1993
Summary：

【要約】【目的】 逆漏れ電流及び順電圧降下を増大することなく、高速でかつ高耐圧の半導体装置を得る。【構成】 N+ 型半導体層4上に設けられたN型半導体層3とPN接合を形成すると共に、前記N型半導体層3の表面に該N型半導体層3の複数個の露出した領域を画成するように設けられたP+ 型半導体層2を形成し、前記N型及びP+ 型半導体層の表面に亘って接触させ、ショットキ接触又はオーミック接触を有する金属電極1を設け、前記N型半導体層3と金属電極1の接触面eからの深さDと、該接触面eの直下にあってP+ 型半導体層2の対向する領域間の最近接距離Wとの関係をD≧0.5Wとすることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

一導電型半導体層を有する半導体基板と、該一導電型半導体層とPN接合を形成すると共に、前記一導電型半導体層の表面に該一導電型半導体層の複数個の露出した領域を画成するように設けられた逆導電型半導体層と、前記一導電型半導体層の複数個の露出した領域と前記逆導電型半導体層とに亘って設けられた金属電極とを備え、前記一導電型半導体層の複数個の露出した領域の中の一つの領域と前記金属電極とにより形成される接触面と前記逆導電型半導体層の底部との間の深さDと、前記接触面下にあって前記逆導電型半導体層の互いに対向する領域間の最近接距離Wとの関係をD≧0.5Wにすることを特徴とする半導体装置。

IPC (6)：

H01L 21/02 ,  H01L 29/48 ,  H01L 21/331 ,  H01L 29/73 ,  H01L 29/74 ,  H01L 29/804

FI (2)：

H01L 29/72 ,  H01L 29/80 V

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭60-031271
  
• 特開平3-105975
  
• 特開平3-210489