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J-GLOBAL ID：200903054377464255

単結晶育成方法及び装置

Inventor： 青木 俊彦 ,  北川 邦彦 ,  山下 健一
Applicant, Patent owner： 住友シチックス株式会社 ,  住友シチックス株式会社
Agent (1)： 森 正澄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991045288
Publication number (International publication number)：1994211594
Application date： Mar. 12, 1991
Publication date： Aug. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】 Si単結晶の育成操業中に、熱バランスの急激な変化等によりSi融液中の酸素濃度が設定酸素濃度よりも大きくかけ離れた場合に、即時対応できる単結晶育成方法及び装置を提案すること。【構成】 第1の発明は、CZ法に依るSi単結晶の育成操業中に、ルツボ内のSi融液中の酸素濃度を検出し、該検出酸素濃度を設定酸素濃度と対比せしめて、学習曲線に基くルツボの回転数を増減変化させる単結晶育成方法。第2の発明は、反応容器中のルツボが上下移動用モータ及び回転用モータを備えている単結晶育成装置であって、前記反応容器に、Si融液中の酸素濃度を検出するサンプル具が気密調整室を介して取付けられ、前記サンプル具からの検出信号を受けて前記回転用モータを回転制御する制御装置を備えている。

Claim (excerpt)：

予め設定されたルツボ回転数による制御を行いつつシリコン融液から単結晶を育成する方法において、ルツボ内のシリコン融液中の酸素濃度を検出し、該検出酸素濃度を設定酸素濃度と対比せしめて、前記検出酸素濃度と設定酸素濃度との差が所定の許容範囲内にある場合と、当該許容範囲外の場合とで、ルツボ回転数に差異を設けたことを特徴とする単結晶育成方法。

IPC (4)：

C30B 15/20 ,  C30B 15/00 ,  C30B 29/06 502 ,  H01L 21/208