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J-GLOBAL ID：200903054401810321
シルセスキオキサン化合物の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002212991
Publication number (International publication number)：2004051847
Application date： Jul. 22, 2002
Publication date： Feb. 19, 2004
Summary：
【課題】簡単な操作で、高収率で籠状シルセスキオキサン及び/又は籠状シルセスキオキサンの部分開裂構造体を製造する方法を提供する。【解決手段】本発明は、籠状シルセスキオキサンの部分開裂構造体であるトリシラノール化合物とアルコキシシランを、ルイス塩基存在下で反応することによって、高収率でかつ高純度で籠状シルセスキオキサン及び/又は籠状シルセスキオキサンの部分開裂構造体が得られる。【選択図】 選択図なし
Claim (excerpt)：
一般式(A)で表される籠状シルセスキオキサンの部分開裂構造体と一般式(B)で表されるアルコキシシランをルイス塩基存在下で反応させて製造することを特徴とする籠状シルセスキオキサン及び/又は籠状シルセスキオキサンの部分開裂構造体を製造する方法。
(RSiO3/2)n(RSiO2H)3 (A)
R1mSi(OR2)4-m (B)
(RSiO3/2)n+3(R1SiO3/2) (C)
(RSiO3/2)n+h(RSiO2H)3-h(R1mSiO(4-m)/2)k (D)
(RSiO3/2)n+3(R12SiO) (R12SiO3/2H) (E)
(一般式(A)〜(E)において、Rは水素原子、炭素原子数1から20の置換又は非置換の炭化水素基又はケイ素原子数1から10のケイ素原子含有基から選ばれ、複数のRは同一でも異なっていても良い。R1はRと同じ群から選ばれる基であり、複数のR1は同じでも異なっていても良い。OR2は炭素原子数1から6のアルコキシ基である。nは2から10の整数で、mは1から3の整数である。ただし、一般式(D)においては、m=2又は3であり、m=2の場合にはk=1、h=2であり、m=3の場合にはk=h=1から3の整数である。)
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (3)：
4J035BA14
, 4J035CA051
, 4J035EB03
