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J-GLOBAL ID：200903054407178198
半導体装置の配線形成方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
山本 孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993134101
Publication number (International publication number)：1994326099
Application date： May. 13, 1993
Publication date： Nov. 25, 1994
Summary：
【要約】【目的】配線を形成するためのフォトリソグラフィ技術及びドライエッチング技術による金属配線層のパターニング工程を行う必要がなく、しかも、従来のように配線上に形成された絶縁膜の研磨を行わずに、配線を含む絶縁層の完全なる平坦化を可能とする、新規の半導体装置の配線形成方法を提供する。【構成】本発明の半導体装置の配線形成方法は、基体10上に絶縁層12を形成した後、この絶縁層に溝部14を形成する工程と、溝部14内を含む絶縁層12上に金属配線層20を形成する工程と、絶縁層12上の金属配線層20を除去し、溝部14内に金属配線層を残し配線22とする工程、から成る。
Claim (excerpt)：
基体上に絶縁層を形成した後、該絶縁層に溝部を形成する工程と、該溝部内を含む絶縁層上に金属配線層を形成する工程と、絶縁層上の金属配線層を除去し、溝部内に金属配線層を残し配線とする工程、から成ることを特徴とする、半導体装置の配線形成方法。
IPC (5)：
H01L 21/3205
, H01L 21/02
, H01L 21/265
, H01L 21/302
, H01L 21/90
H01L 21/88 K
, H01L 21/265 L
Cited by examiner (10)
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