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J-GLOBAL ID：200903054420084836

半導体放射線検出素子

Inventor： 佐藤 則忠 ,  上野 正和
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993312348
Publication number (International publication number)：1995169988
Application date： Dec. 14, 1993
Publication date： Jul. 04, 1995
Summary：

【要約】【目的】硝酸の蒸気中のダストに含まれる種々のα核種あるいは硝酸ウラニウム溶液中のα核種を弁別して測定する際に、窓電極の腐食されない半導体放射線検出素子を提供する。【構成】空乏層6を半導体基板1と非晶質カーボン膜2とのヘテロ接合で形成し、その非晶質カーボン膜2上の窓電極3をグラファイト膜あるいはほう素をドープした非晶質カーボン膜により形成することにより、腐食されやすい金属窓電極を省略することができる。さらに窓電極3の周囲、リード線接続のAlパッド5を非晶質カーボン膜7により被覆して保護する。

Claim (excerpt)：

裏面に対向電極の設けられた半導体基板の表面にその基板とヘテロ接合を形成する非晶質カーボン膜が被着し、その非晶質カーボン膜の上にグラファイト膜からなる窓電極が設けられたことを特徴とする半導体放射線検出素子。