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J-GLOBAL ID：200903054440192554

プローバ

Inventor： 中野 勝吉
Applicant, Patent owner： エージングテスタ開発協同組合
Agent (1)： 中村 稔 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993218704
Publication number (International publication number)：1995074216
Application date： Sep. 02, 1993
Publication date： Mar. 17, 1995
Summary：

【要約】【構成】 プローバは、半導体基板表面に形成された半導体集積回路素子の性能をテストするために使用され、その半導体基板と実質的に同じ熱膨張係数を有するプローバ基板を備える。プローバ基板の中央部には、半導体集積回路素子のパッド部のそれぞれに対応する複数のリード部が形成され、リード部には、各対応するパッド部に接触する接点が設けられ、プローバ基板には、各接点に一端を接続し、他端をそのプローバ基板の外周縁近傍にて終端させた導電層が形成されている。【効果】 被検体個々のプロービングは勿論のこと、単位プローバを複数個集合してなるプローバにより複数被検体やさらにウエハー全体のプロービングを同時に行なうこともできる。

Claim (excerpt)：

半導体基板表面に形成された半導体集積回路素子の性能をテストするために使用するプローバであって、前記半導体基板と実質的に同じ熱膨張係数を有するプローバ基板を備え、該プローバ基板は、その中央部に、前記半導体集積回路素子のパッド部のそれぞれに対応する複数のリード部が形成された探触部を有しており、前記リード部には、そのプローバ基板を前記半導体基板表面上に載置するとき、前記各対応するパッド部に接触する接点が設けられており、さらに、前記プローバ基板には、前記各接点に一端を接続し、他端をそのプローバ基板の外周縁近傍にて終端させた導電層が形成されていることを特徴とするプローバ。

IPC (2)：

H01L 21/66 ,  G01R 31/28