半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：高田守 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994245616
Publication number (International publication number)：1996111510
Application date： Oct. 11, 1994
Publication date： Apr. 30, 1996
Summary：

【要約】【目的】高誘電体のキャパシタのリーク電流を抑制する。【構成】一方のキャパシタ用電極313 における下層電極313bの端部を上層電極313aの端部よりも内側に後退させ、下層電極313bの側面とキャパシタ用誘電膜315 とを離隔させることで、この下層電極313bの側面の部分のリーク電流を減少させる。

Claim (excerpt)：

上面および下面を有する上層電極およびこの上層電極の下面側に上記上層電極と電気的に接続されて形成され、端部が上記上層電極の端部よりも内側に形成される下層電極を有する一方のキャパシタ用電極と、上記上層電極の上面および側面に接し、上記下層電極の側面と離隔かつ対向して形成され、上記上層電極に接して形成されると多結晶構造をなし、上記下層電極に接して形成されると上記多結晶構造と異なる構造をなすキャパシタ用誘電膜と、上記キャパシタ用誘電膜を介して上記一方のキャパシタ用電極に対向して形成される他方のキャパシタ用電極とを有するキャパシタを備える半導体装置。

IPC (4)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (3)：

H01L 27/10 651 , H01L 27/04 C , H01L 27/10 621 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

マイクロ電子構造体とその製造法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-196834 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド, カリフォルニアインスティチュートオブテクノロジー
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-013567 Applicant：日本電気株式会社

Cited by examiner (2)

マイクロ電子構造体とその製造法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平7-196834 Applicant：テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド, カリフォルニアインスティチュートオブテクノロジー
半導体装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-013567 Applicant：日本電気株式会社

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