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J-GLOBAL ID：200903054453462313

光半導体装置および光伝送モジュール、光増幅モジュール

Inventor： 黒田 崇郎 ,  大内 潔 ,  工藤 真
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (3)： 小川 勝男 ,  田中 恭助 ,  佐々木 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002340411
Publication number (International publication number)：2004179206
Application date： Nov. 25, 2002
Publication date： Jun. 24, 2004
Summary：

【課題】量子ドットを活性層に用いた半導体レーザ装置は、ゼロチャーピング特性を示す。しかし、電子と正孔を同じ材料に閉じこめる、従来のtype-I構造ドットを用いた装置では、高々2.5Gbit/秒の直接変調しか実現できなかった。それは、離散的エネルギー準位間のキャリヤ緩和速度が、いわゆるフォノンボトルネック現象により律速される為である。【解決手段】本願発明は、電子と正孔を閉じこめる各量子ドットを別材料で形成する、いわゆるtype-II構造の量子ドットを採用する。type-II構造では、電子と正孔の各離散的エネルギー準位の間隔を、材料組成とドットの大きさにより別々に最適化できる。この為、各量子ドット内の基底準位に、両キャリヤ共に高速での緩和させることが可能となる。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

第1のクラッド領域と、 正孔を閉じ込める為の量子ドットと、これに接して形成され且つ前記正孔を閉じ込める為の量子ドットの半導体材料とは異なる半導体材料で形成された電子を閉じ込める為の量子ドットとの一組を複数組具備する活性層領域と、 第2のクラッド領域とを、少なくとも有し、且つ、 前記活性層領域に電流注入部を有することを特徴とする光半導体装置。

IPC (2)：

H01S5/343 ,  H01S5/50

FI (3)：

H01S5/343 ,  H01S5/50 610 ,  H01S5/50 630

F-Term (16)：

5F073AA21 ,  5F073AA45 ,  5F073AA62 ,  5F073AA74 ,  5F073BA02 ,  5F073CA03 ,  5F073CA15 ,  5F073CB02 ,  5F073CB11 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073EA03 ,  5F073EA12 ,  5F073EA29 ,  5F073GA12 ,  5F073GA24