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J-GLOBAL ID：200903054458385287
金属と半導体との超格子電極構造
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
岩佐 義幸
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993102068
Publication number (International publication number)：1994314852
Application date： Apr. 28, 1993
Publication date： Nov. 08, 1994
Summary：
【要約】【目的】 イオウ(S)またはセレン(Se)を含むp形II-VI 半導体のp電極の抵抗を小さくする。【構成】 p形II-VI 半導体層3とp電極5との間に金属とp形半導体とからなるチャープ超格子4を有しており、チャープ超格子4の価電子帯端の位置がp形半導体層3に近づくにつれ深くなっている。【効果】 p電極とp形II-VI 半導体層とのヘテロ障壁がなくなり、正孔が容易に注入され、電極での抵抗が低くなる。
Claim (excerpt)：
イオウ(S)またはセレン(Se)を含むp形II-VI 半導体層と、金属よりなるp電極とを有し、前記p形II-VI 半導体層とp電極との間に金属とp形半導体とからなる結晶またはアモルファスであるチャープ超格子を有し、前記チャープ超格子の価電子帯端の位置が、前記p電極との界面でp電極金属のフェルミレベルにほぼ等しく、前記p形II-VI 半導体層に近づくにつれ深くなり、前記p形II-VI 半導体層との界面でp形II-VI 半導体層の価電子帯端にほぼ等しいことを特徴とする超格子電極構造。
IPC (3)：
H01S 3/18
, C30B 29/48
, C30B 29/68
