Pat

J-GLOBAL ID：200903054464923916

半導体装置の配線形成方法及びそのための灰化装置

Inventor： 長谷川 万希子 ,  豊田 吉彦 ,  深田 哲生 ,  森 剛
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 高田 守 (外4名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994286497
Publication number (International publication number)：1996148498
Application date： Nov. 21, 1994
Publication date： Jun. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】 銅系材料からなる配線または積層配線のレジスト除去を目的とした灰化プロセスにおいて、レジスト灰化による集積回路の銅配線の酸化を防止する。【構成】 配線パターンを加工する際のレジスト灰化プロセスにおいて、基板を冷却しつつ灰化を行い、または低酸素分圧下で灰化を行う。または灰化中または灰化後に還元性ガスを流す。または配線の側壁に高融点金属またはAlを堆積した後で灰化を行う。【効果】 配線の酸化を防止することができる。これによって抵抗が低く、エレクトロマイグレーション寿命、ストレスマイグレーション寿命の長い配線が得られ、集積回路の歩留まりおよび信頼性を向上させることができる。

Claim (excerpt)：

基板上の集積回路の上に、銅系材料を含む配線層を形成し、この配線構造をレジストを用いてエッチングすることにより配線層の配線パターンを写真製版プロセスにより形成し、次に、基板を100°C以下に冷却しつつ灰化を行い、エッチング後に残っているレジストを除去することを特徴とする半導体装置の配線形成方法。

IPC (7)：

H01L 21/3213 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3205 ,  H01L 21/768 ,  H05K 3/06 ,  H05K 3/28

FI (5)：

H01L 21/88 C ,  H01L 21/306 F ,  H01L 21/88 J ,  H01L 21/88 B ,  H01L 21/90 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平1-243546
  
• 特開平3-171733
  
• 特開平2-237118