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J-GLOBAL ID：200903054484036797
半導体レーザの作製方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992335009
Publication number (International publication number)：1994164073
Application date： Nov. 19, 1992
Publication date： Jun. 10, 1994
Summary：
【要約】【目的】 ドライエッチングにより共振器端面を形成する工程において、基板表面の凹凸や材料によりエッチングマスクの材料や加工精度が制約されたり、エッチング後にエッチングマスクの除去が困難となる等の問題を解決する。【構成】 半導体基板1の裏面に絶縁膜等からなるエッチングマスク5を形成し、基板の裏面からドライエッチング6により端面9の形成を行ない、その後エッチングマスク5を除去する。【効果】 基板表面の凹凸や材料に関係なくエッチングでき、またエッチング後も容易にエッチングマスクを除去できるドライエッチングが可能となる。
Claim (excerpt)：
エッチングにより共振器端面を形成し、半導体レーザを作製する方法において、半導体基板の裏面にエッチングマスクを形成する工程と、上記エッチングマスクを用いて基板裏面よりドライエッチングにより基板表面に至るまでエッチングを行ない、共振器端面を形成する工程と、上記エッチングマスクを基板裏面より除去する工程と、を含むことを特徴とする半導体レーザの作製方法。
IPC (3)：
H01S 3/18
, H01L 21/302
, H01L 33/00
