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J-GLOBAL ID：200903054484170302

生体高分子およびナノ構造体への電気的な接触を確立する技術

Inventor： 和泉 充 ,  大貫 等 ,  草刈 顕
Applicant, Patent owner： 大貫 等
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2008035432
Publication number (International publication number)：2009192444
Application date： Feb. 18, 2008
Publication date： Aug. 27, 2009
Summary：

【課題】生体高分子やナノ構造体は非常に小さく、且つデリケートな物質である。従って、これらの物質に後処理プロセスとして電極を配置させることは非常に難しい。また、従来法では緻密な膜構造となり、センサーへ適用した場合、被検物の侵入をブロックしてしまう。【解決手段】 成膜時に基板に与えるエネルギーが非常に小さなラングミュア・ブロジェット(LB)法を用いた導電性薄膜作製を行なうことで、ナノ構造体や生体高分子への影響を排除する。特定の分子の組み合わせにより、水面上で化学反応が進行して高い電気伝導度を持つ超薄膜が形成される。これをLB法により基板上に累積することで基板上に固定されたナノ構造体や生体高分子への電気的な接触を確立する。またLB膜の超薄膜性と構造上の特徴から、被検物の侵入を許し、生体高分子およびナノ構造体の脱離は防止するという利点が生ずる。【選択図】図10

Claim (excerpt)：

水面上で成膜を行なうラングミュア・ブロジェット膜(以下、「LB膜」という。)を用いて、生体高分子およびナノ構造体への電気的な接触をナノレベルの超薄膜で確立する技術。

IPC (2)：

G01N 27/333 ,  G01N 27/327

FI (5)：

G01N27/30 331C ,  G01N27/30 353B ,  G01N27/30 353J ,  G01N27/30 331F ,  G01N27/30 353A

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• バイオセンサ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2002-268529   Applicant：松下電器産業株式会社