Pat
J-GLOBAL ID：200903054495183619
半導体装置
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992202813
Publication number (International publication number)：1994053494
Application date： Jul. 30, 1992
Publication date： Feb. 25, 1994
Summary：
【要約】【目的】微細加工に適した寸法変動の少ない構造のゲート電極構造を提供する。【構成】ポリサイドゲート電極部210は、ポリシリコン膜105,金属シリサイド膜106,膜厚50nm前後の窒化チタン膜107,および化学気相成長によるシリコン酸化膜108からなる積層膜を、レジストパターン109をサスクにしたエッチングにより得られる。
Claim (excerpt)：
シリコンMOS半導体装置のゲート絶縁膜上に設けられたゲート電極部が、前記ゲート絶縁膜に直接に接して設けられたポリシリコン膜からなる第1の導電膜と、前記第1の導電膜上に設けられた窒化チタン膜,チタン・タングステン膜,およびチタン膜のうちの1からなる第2の導電膜と、前記第2の導電膜上に設けられた化学気相成長による第1のシリコン酸化膜とからなることを特徴とする半導体装置。
IPC (3)：
H01L 29/784
, H01L 29/46
, H01L 21/336
H01L 29/78 301 G
, H01L 29/78 301 L
Cited by examiner (6)
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