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J-GLOBAL ID：200903054506465514

LC素子,半導体装置及びLC素子の製造方法

Inventor： 池田 毅 ,  岡村 進
Applicant, Patent owner： 池田 毅 ,  岡村 進
Agent (1)： 布施 行夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993346429
Publication number (International publication number)：1995183467
Application date： Dec. 22, 1993
Publication date： Jul. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 製造が容易であり、後工程における部品の組み付け作業を省略することができ、ICやLSIの一部として形成することができ、分布定数的に存在するキャパシタを必要に応じて変えることにより特性を任意に変更することができるLC素子,半導体装置及びLC素子の製造方法を提供すること。【構成】 LC素子100は、p-Si基板24の表面付近に形成された蛇行形状のn+ 領域22と、さらにその一部に形成された蛇行形状のp+ 領域20とを含んでおり、これによりpn接合層26が形成されている。また、このpn接合層26の表面には第1及び第2の電極10,12が形成されており、これら2つの電極がそれぞれインダクタとして機能するとともに、上述したpn接合層26を逆バイアスで使用することによりキャパシタが分布数的に形成され、良好な減衰特性が得られる。

Claim (excerpt)：

同一平面内であって、ほぼ平行で隣接して配置された非スパイラル形状の2つの電極と、前記2つの電極に沿った位置に形成され、これら2つの電極のいずれか一方にp領域が、他方にn領域が電気的に接続された非スパイラル形状のpn接合層と、を備え、前記2つの電極のそれぞれによって形成されるインダクタと、これら2つの電極間の前記pn接合層によって形成されるキャパシタとが分布定数的に存在し、前記2つの電極の少なくとも一方を信号入出力路として用いることを特徴とするLC素子。

IPC (9)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01F 27/00 ,  H01P 1/00 ,  H01P 9/00 ,  H01P 11/00 ,  H03H 7/34 ,  H03K 17/61 ,  H03K 19/003

FI (3)：

H01L 27/04 L ,  H01F 15/00 D ,  H03K 17/60 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-108209
  
• 特開昭62-233911
  
• 特公昭47-038276