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J-GLOBAL ID：200903054508418408

SiCハイブリッド基板及びその製造方法

Inventor： 田中 悟 ,  青柳 克信
Applicant, Patent owner： 理化学研究所 ,  田中 悟
Agent (1)： 平木 祐輔 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997091591
Publication number (International publication number)：1998270368
Application date： Mar. 26, 1997
Publication date： Oct. 09, 1998
Summary：

【要約】【課題】 SiC基板上に導電性と平坦性を備えたバッファー層が形成されたSiCハイブリッド基板、及びその製造方法を提供する。【解決手段】 SiC基板1をアニールし、SiC基板1の温度を低下させた状態で表面にアンモニアを吸着させ、そののちSiC基板上にn-Al<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N層(0≦x<1)2を形成する。

Claim (excerpt)：

SiC基板上に表面が平滑な導電性のn-Al<SB>X</SB>Ga<SB>1-X</SB>N層(0≦x<1)を形成したことを特徴とするSiCハイブリッド基板。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/02 ,  H01L 29/06 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (5)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/02 B ,  H01L 29/06 ,  H01L 33/00 A ,  H01S 3/18